IPB120P04P404ATMA1

SPB08P06PGATMA1Infineon/英飞凌D²PAK（TO-263AB）863

MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IPB35N10S3L26ATMA1Infineon/英飞凌D²PAK（TO-263AB）915

MOSFET N-CH TO263-3

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IPB055N03LGATMA1Infineon/英飞凌D²PAK（TO-263AB）995

MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IPB70P04P409ATMA1Infineon/英飞凌D²PAK（TO-263AB）2561

MOSFET N-CH TO263-3

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IRF540ZSTRLPBFInfineon/英飞凌D²PAK（TO-263AB）2704

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：