IRF630STRLPBF

SIHB16N50C-E3Vishay/威世D²PAK（TO-263）1534

MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NDBA170N06AT4HONSEMI/安森美D²PAK（TO-263）2018

MOSFET N-CH 60V 170A DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NDBA180N10BT4HONSEMI/安森美D²PAK（TO-263）2055

MOSFET N-CH 100V 180A DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

SIHB23N60E-GE3Vishay/威世D²PAK（TO-263）2159

MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDB86569_F085ONSEMI/安森美D²PAK（TO-263）2179

MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：