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TK5P60W,RVQ

复制 状态： 在售

制造商编号：TK5P60W,RVQ复制

制造商名称：TOSHIBA/东芝复制

制造商封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

商品类别：单通道MOS管

商品编号：1039-30115

商品描述：MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK

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详细参数
产品属性 属性值
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Fet类型: N 通道
漏源极电压(vdss): 600V
电流-连续漏极(id): 5.4A（Ta）
Vgs(最大值): ±30V
功率-最大值: 60W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
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TK5P60W-VBVBsemi/微碧TO252 56151
N沟道,650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V)；3.5Vth(V)；TO252
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：600V 3电流-连续漏极(id)3：5.4A（Ta） 4Vgs(最大值)4：±30V 5功率-最大值：60W（Tc） 6工作温度：150°C（TJ）
STD12NF06LT4ST/意法半导体DPAK7
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
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STD16NF06LT4ST/意法半导体DPAK10
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：600V 3电流-连续漏极(id)3：5.4A（Ta） 4Vgs(最大值)4：±30V 5功率-最大值：60W（Tc） 6工作温度：150°C（TJ）
STD44N4LF6ST/意法半导体DPAK19
MOSFET N-CH 40V 44A DPAK
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：600V 3电流-连续漏极(id)3：5.4A（Ta） 4Vgs(最大值)4：±30V 5功率-最大值：60W（Tc） 6工作温度：150°C（TJ）
STD15NF10T4ST/意法半导体DPAK22
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：600V 3电流-连续漏极(id)3：5.4A（Ta） 4Vgs(最大值)4：±30V 5功率-最大值：60W（Tc） 6工作温度：150°C（TJ）
STD70N10F4ST/意法半导体DPAK25
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：600V 3电流-连续漏极(id)3：5.4A（Ta） 4Vgs(最大值)4：±30V 5功率-最大值：60W（Tc） 6工作温度：150°C（TJ）
STD30PF03LT4ST/意法半导体DPAK28
MOSFET P-CH 30V 24A DPAK
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：600V 3电流-连续漏极(id)3：5.4A（Ta） 4Vgs(最大值)4：±30V 5功率-最大值：60W（Tc） 6工作温度：150°C（TJ）
STD20NF20ST/意法半导体DPAK31
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：600V 3电流-连续漏极(id)3：5.4A（Ta） 4Vgs(最大值)4：±30V 5功率-最大值：60W（Tc） 6工作温度：150°C（TJ）
STD150N3LLH6ST/意法半导体DPAK38
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：600V 3电流-连续漏极(id)3：5.4A（Ta） 4Vgs(最大值)4：±30V 5功率-最大值：60W（Tc） 6工作温度：150°C（TJ）
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