STI33N60M2

FQI27N25TUONSEMI/安森美I2PAK（TO-262）2157

MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STI18NM60NST/意法半导体I2PAK（TO-262）4129

MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STI200N6F3ST/意法半导体I2PAK（TO-262）4130

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STI30NM60NST/意法半导体I2PAK（TO-262）4131

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STB70NF03L-1ST/意法半导体I2PAK（TO-262）4187

MOSFET N-CH 30V 70A I2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：