IPD33CN10NGATMA1

IPD50R2K0CEAUMA1Infineon/英飞凌PG-TO252-3758

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IPD60R2K1CEAUMA1Infineon/英飞凌PG-TO252-3764

MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IPD50R1K4CEAUMA1Infineon/英飞凌PG-TO252-3765

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IPD70R2K0CEAUMA1Infineon/英飞凌PG-TO252-3770

MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IPD090N03LGBTMA1Infineon/英飞凌PG-TO252-3779

MOSFET N-CH 30V 40A TO252

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：