| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | - |
| Fet类型: | P 通道 |
| 漏源极电压(vdss): | 60V |
| 电流-连续漏极(id): | 200mA(Ta) |
| Vgs(最大值): | ±20V |
| 功率-最大值: | 200mW(Ta) |
| 工作温度: | 150°C(TJ) |
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SOT23;P—Channel沟道,-60V;-0.5A;RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:60V
3电流-连续漏极(id)3:200mA(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:200mW(Ta)
6工作温度:150°C(TJ)
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DMG3407SSN-7DIODES/美台SC-596482
MOSFET P-CH 30V 4A SC59
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:60V
3电流-连续漏极(id)3:200mA(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:200mW(Ta)
6工作温度:150°C(TJ)
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DMN3033LSNQ-13DIODES/美台SC-597687
MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:60V
3电流-连续漏极(id)3:200mA(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:200mW(Ta)
6工作温度:150°C(TJ)
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2SK536-TB-EONSEMI/安森美SC-598886
MOSFET N-CH 50V 100MA SC59
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:60V
3电流-连续漏极(id)3:200mA(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:200mW(Ta)
6工作温度:150°C(TJ)
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BSS127SSN-7DIODES/美台SC-5921004
MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:60V
3电流-连续漏极(id)3:200mA(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:200mW(Ta)
6工作温度:150°C(TJ)
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DMN3070SSN-7DIODES/美台SC-5921058
MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:60V
3电流-连续漏极(id)3:200mA(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:200mW(Ta)
6工作温度:150°C(TJ)
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