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STT5PF20V

复制 状态： 在售

制造商编号：STT5PF20V复制

制造商名称：ST/意法半导体复制

制造商封装：SOT-23-6

商品类别：单通道MOS管

商品编号：1039-4082

商品描述：MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-6

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详细参数
产品属性 属性值
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Fet类型: P 通道
漏源极电压(vdss): 20V
电流-连续漏极(id): 5A（Tc）
Vgs(最大值): ±8V
功率-最大值: 1.6W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
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STT5PF20V-VBVBsemi/微碧SOT23-6 56473
SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
1Fet类型1：P 通道 2漏源极电压(vdss)2：20V 3电流-连续漏极(id)3：5A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±8V 5功率-最大值：1.6W（Tc） 6工作温度：150°C（TJ）
STT4PF20VST/意法半导体SOT-23-63195
MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6
1Fet类型1：P 通道 2漏源极电压(vdss)2：20V 3电流-连续漏极(id)3：5A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±8V 5功率-最大值：1.6W（Tc） 6工作温度：150°C（TJ）
STT3PF20VST/意法半导体SOT-23-63348
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-6
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STT2PF60LST/意法半导体SOT-23-63475
MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6
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STT3PF30LST/意法半导体SOT-23-64002
MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
1Fet类型1：P 通道 2漏源极电压(vdss)2：20V 3电流-连续漏极(id)3：5A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±8V 5功率-最大值：1.6W（Tc） 6工作温度：150°C（TJ）
ZXM63N02E6TADIODES/美台SOT-23-64632
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6
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ZXM62N03E6TADIODES/美台SOT-23-64634
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6
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ZVN4525E6TCDIODES/美台SOT-23-610611
MOSFET N-CH 250V 0.23A SOT23-6
1Fet类型1：P 通道 2漏源极电压(vdss)2：20V 3电流-连续漏极(id)3：5A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±8V 5功率-最大值：1.6W（Tc） 6工作温度：150°C（TJ）
ZVP4525E6TCDIODES/美台SOT-23-610657
MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT23-6
1Fet类型1：P 通道 2漏源极电压(vdss)2：20V 3电流-连续漏极(id)3：5A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±8V 5功率-最大值：1.6W（Tc） 6工作温度：150°C（TJ）
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