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SI2302-VBVBsemi/微碧SOT23
58141
SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；
1Fet类型1：N 通道
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.5A（Tc）
4Vgs(最大值)4：±8V
5功率-最大值：830mW（Tc）
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
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PMV56XN,215Nexperia/安世TO-236AB（SOT23）4234
MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23
1Fet类型1：N 通道
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.5A（Tc）
4Vgs(最大值)4：±8V
5功率-最大值：830mW（Tc）
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
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PMV22EN,215Nexperia/安世TO-236AB（SOT23）4296
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23
1Fet类型1：N 通道
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.5A（Tc）
4Vgs(最大值)4：±8V
5功率-最大值：830mW（Tc）
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
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PMV20XN,215Nexperia/安世TO-236AB（SOT23）4299
MOSFET N-CH 30V 4.8A SOT23
1Fet类型1：N 通道
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.5A（Tc）
4Vgs(最大值)4：±8V
5功率-最大值：830mW（Tc）
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
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PMV117EN,215Nexperia/安世TO-236AB（SOT23）4334
MOSFET N-CH 30V 2.5A TO236AB
1Fet类型1：N 通道
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.5A（Tc）
4Vgs(最大值)4：±8V
5功率-最大值：830mW（Tc）
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
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BSH112,235Nexperia/安世TO-236AB（SOT23）4389
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
1Fet类型1：N 通道
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.5A（Tc）
4Vgs(最大值)4：±8V
5功率-最大值：830mW（Tc）
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
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PMV45EN,215Nexperia/安世TO-236AB（SOT23）4413
MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23
1Fet类型1：N 通道
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.5A（Tc）
4Vgs(最大值)4：±8V
5功率-最大值：830mW（Tc）
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
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BSH205,215Nexperia/安世TO-236AB（SOT23）4416
MOSFET P-CH 12V 0.75A SOT-23
1Fet类型1：N 通道
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.5A（Tc）
4Vgs(最大值)4：±8V
5功率-最大值：830mW（Tc）
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
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PMV40UN,215Nexperia/安世TO-236AB（SOT23）4429
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
1Fet类型1：N 通道
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.5A（Tc）
4Vgs(最大值)4：±8V
5功率-最大值：830mW（Tc）
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
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