NTTFS2D1N04HLTWG

FDMC007N08LCDCONSEMI/安森美8-PQFN（3.3x3.3）46298

FET 80V 7.0 MOHM PQFN33

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NTTFS5D9N08HTWGONSEMI/安森美8-PQFN（3.3x3.3）47241

N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NTTFS008P03P8ZONSEMI/安森美8-PQFN（3.3x3.3）47287

MOSFET, POWER 30V P-CHANNEL PQFN

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NTTFS1D2N02P1EONSEMI/安森美8-PQFN（3.3x3.3）47428

FET 25V 1.2 MOHM PC33 SIN

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDMC86184ONSEMI/安森美8-PQFN（3.3x3.3）47467

MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDMC4D9P20X8ONSEMI/安森美8-PQFN（3.3x3.3）50361

FET -20V -75A

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NTTFS3D7N06HLTWGONSEMI/安森美8-PQFN（3.3x3.3）50412

N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDMC8010DCONSEMI/安森美8-PQFN（3.3x3.3）50413

MOSFET N-CH 30V 37A 8QFN

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NTTFS1D8N02P1EONSEMI/安森美8-PQFN（3.3x3.3）50419

MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDMC010N08LCONSEMI/安森美8-PQFN（3.3x3.3）50589

FET 80V 10.0 MOHM PQFN33

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：