STD12N60DM2AG

SIHD2N80AE-GE3Vishay/威世D-PAK（TO-252）46066

MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDD86369-F085ONSEMI/安森美D-PAK（TO-252）46246

MOSFET N-CH 80V 90A DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDD9510L-F085ONSEMI/安森美D-PAK（TO-252）46247

MOSFET P-CH 35V 13A DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDD86367-F085ONSEMI/安森美D-PAK（TO-252）46263

MOSFET N-CH 80V 100A DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDD86367ONSEMI/安森美D-PAK（TO-252）46273

MOSFET N-CHANNEL 80V 100A TO252

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：