| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | SuperFET® III |
| Fet类型: | N 通道 |
| 漏源极电压(vdss): | 650V |
| 电流-连续漏极(id): | 10A(Tc) |
| Vgs(最大值): | ±30V |
| 功率-最大值: | 83W(Tc) |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 同类热销产品 | ||
|---|---|---|
|
FCMT125N65S3ONSEMI/安森美4-PQFN(8x8)47621
SF3 650V 125MOHM MOSFET
1Fet类型1:
2漏源极电压(vdss)2:
3电流-连续漏极(id)3:
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:
6工作温度:
|
|
|
TPH3202LDTransphorm4-PQFN(8x8)52780
GANFET N-CH 600V 9A PQFN
1Fet类型1:
2漏源极电压(vdss)2:
3电流-连续漏极(id)3:
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:
6工作温度:
|
|
|
TPH3208LDTransphorm4-PQFN(8x8)52782
GANFET N-CH 650V 20A PQFN
1Fet类型1:
2漏源极电压(vdss)2:
3电流-连续漏极(id)3:
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:
6工作温度:
|
|