STI6N95K5

FDI045N10A-F102ONSEMI/安森美I2PAK（TO-262）46356

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STI28N60M2ST/意法半导体I2PAK（TO-262）48263

MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STI100N10F7ST/意法半导体I2PAK（TO-262）50513

MOSFET

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FCI25N60N-F102ONSEMI/安森美I2PAK（TO-262）50708

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STI33N60M6ST/意法半导体I2PAK（TO-262）50747

MOSFET N-CH

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FQI27N25TU-F085ONSEMI/安森美I2PAK（TO-262）52116

MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDI9406-F085ONSEMI/安森美I2PAK（TO-262）52121

MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDI9409-F085ONSEMI/安森美I2PAK（TO-262）52401

MOSFET N-CH 40V

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STI175N4F6AGST/意法半导体I2PAK（TO-262）52489

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：