DMTH6004SCTBQ-13

FDB3632-F085ONSEMI/安森美TO-263AB46320

MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDB9403-F085ONSEMI/安森美TO-263AB47730

MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDB14AN06LA0-F085ONSEMI/安森美TO-263AB48500

MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDB2552-F085ONSEMI/安森美TO-263AB48564

MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDB3672-F085ONSEMI/安森美TO-263AB50640

MOSFET N-CH 100V 7.2/44A TO263AB

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：