SIHU3N50DA-GE3

SIHU2N80E-GE3Vishay/威世IPAK（TO-251）46077

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

SIHU4N80AE-GE3Vishay/威世IPAK（TO-251）46078

MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

SIHU6N80E-GE3Vishay/威世IPAK（TO-251）46104

MOSFET N-CHAN 800V TO-251

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STU3LN80K5ST/意法半导体IPAK（TO-251）46276

MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STU6N90K5ST/意法半导体IPAK（TO-251）48242

N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：