SI4632DY-T1-E3

STS5PF30LST/意法半导体8-SO13

MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IRF9335TRPBFInfineon/英飞凌8-SO786

MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IRF8721PBFInfineon/英飞凌8-SO808

MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IRF8714GTRPBFInfineon/英飞凌8-SO819

MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IRF9332TRPBFInfineon/英飞凌8-SO820

MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：