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SCT10N120AGST/意法半导体HiP247™46400
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
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2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
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SCTW35N65G2VST/意法半导体HiP247™46418
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
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SCT20N120AGST/意法半导体HiP247™46425
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
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SCTW40N120G2VAGST/意法半导体HiP247™46428
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
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SCTWA50N120ST/意法半导体HiP247™46437
MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
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6工作温度：
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SCT20N120HST/意法半导体HiP247™48627
PTD WBG & POWER RF
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
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SCT30N120D2ST/意法半导体HiP247™50904
PTD WBG & POWER RF
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
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SCTW35N65G2VAGST/意法半导体HiP247™50907
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
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6工作温度：
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SCTW90N65G2VST/意法半导体HiP247™50916
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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SCTW100N65G2AGST/意法半导体HiP247™50917
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
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6工作温度：
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SCTW70N120G2VST/意法半导体HiP247™50921
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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