C3M0350120J

G2R1000MT33JNavitas(GeneSiC)/纳微TO-263-746427

3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

C3M0160120JCree/WolfspeedTO-263-747760

GEN 3 1200V 160 M SIC MOSFET

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

C3M0060065JCree/WolfspeedTO-263-747867

GEN 3 650V 60 M SIC MOSFET

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTA150N15X4-7IXYS/艾赛斯TO-263-747999

MOSFET N-CH 150V 150A TO-263-7

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

SQM40022EM_GE3Vishay/威世TO-263-748506

MOSFET N-CHAN 40V

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：