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SI7788DP-T1-GE3

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制造商编号：SI7788DP-T1-GE3复制

制造商名称：Vishay/威世复制

制造商封装：PowerPAK® SO-8

商品类别：单通道MOS管

商品编号：1039-5144

商品描述：MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

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详细参数
产品属性 属性值
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Fet类型: N 通道
漏源极电压(vdss): 30V
电流-连续漏极(id): 50A（Tc）
Vgs(最大值): ±20V
功率-最大值: 5.2W（Ta），69W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
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SI7788DP-T1-GE3-VBVBsemi/微碧DFN8(5X6) 54904
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MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
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MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
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SI7868ADP-T1-GE3Vishay/威世PowerPAK® SO-82224
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：30V 3电流-连续漏极(id)3：50A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±20V 5功率-最大值：5.2W（Ta），69W（Tc） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
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SI7862ADP-T1-GE3Vishay/威世PowerPAK® SO-82235
MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：30V 3电流-连续漏极(id)3：50A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±20V 5功率-最大值：5.2W（Ta），69W（Tc） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
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1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：30V 3电流-连续漏极(id)3：50A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±20V 5功率-最大值：5.2W（Ta），69W（Tc） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
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1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：30V 3电流-连续漏极(id)3：50A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±20V 5功率-最大值：5.2W（Ta），69W（Tc） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
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