IXFT52N30Q TRL

IXFT30N85XHVIXYS/艾赛斯TO-268（IXFT）48000

MOSFET N-CH 850V 30A TO268

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXFT12N100FIXYS/艾赛斯TO-268（IXFT）51432

MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXFT6N100FIXYS/艾赛斯TO-268（IXFT）51433

MOSFET N-CH 1000V 6A TO268

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXFT26N50Q TRIXYS/艾赛斯TO-268（IXFT）51461

MOSFET N-CH 500V 26A TO268

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXFT40N30Q TRIXYS/艾赛斯TO-268（IXFT）51462

MOSFET N-CH 300V 40A TO268

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：