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TK6Q60W,S1VQ

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制造商编号:TK6Q60W,S1VQ复制

制造商名称:TOSHIBA/东芝复制

制造商封装:TO-251-3 短截引线,IPak

商品类别:单通道MOS管

商品编号:1039-5346

商品描述:MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK

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详细参数
产品属性 属性值
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Fet类型: N 通道
漏源极电压(vdss): 600V
电流-连续漏极(id): 6.2A(Ta)
Vgs(最大值): ±30V
功率-最大值: 60W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
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TK6Q60W-VBVBsemi/微碧TO251 55213
N—Channel沟道,650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
1Fet类型1:N 通道 2漏源极电压(vdss)2:600V 3电流-连续漏极(id)3:6.2A(Ta) 4Vgs(最大值)4:±30V 5功率-最大值:60W(Tc) 6工作温度:150°C(TJ)
FCU5N60TUONSEMI/安森美I-PAK2076
MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK
1Fet类型1:N 通道 2漏源极电压(vdss)2:600V 3电流-连续漏极(id)3:6.2A(Ta) 4Vgs(最大值)4:±30V 5功率-最大值:60W(Tc) 6工作温度:150°C(TJ)
TK8Q60W,S1VQTOSHIBA/东芝I-PAK2087
MOSFET N CH 600V 8A IPAK
1Fet类型1:N 通道 2漏源极电压(vdss)2:600V 3电流-连续漏极(id)3:6.2A(Ta) 4Vgs(最大值)4:±30V 5功率-最大值:60W(Tc) 6工作温度:150°C(TJ)
TK12Q60W,S1VQTOSHIBA/东芝I-PAK2343
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
1Fet类型1:N 通道 2漏源极电压(vdss)2:600V 3电流-连续漏极(id)3:6.2A(Ta) 4Vgs(最大值)4:±30V 5功率-最大值:60W(Tc) 6工作温度:150°C(TJ)
TK10Q60W,S1VQTOSHIBA/东芝I-PAK2426
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
1Fet类型1:N 通道 2漏源极电压(vdss)2:600V 3电流-连续漏极(id)3:6.2A(Ta) 4Vgs(最大值)4:±30V 5功率-最大值:60W(Tc) 6工作温度:150°C(TJ)
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1Fet类型1:N 通道 2漏源极电压(vdss)2:600V 3电流-连续漏极(id)3:6.2A(Ta) 4Vgs(最大值)4:±30V 5功率-最大值:60W(Tc) 6工作温度:150°C(TJ)
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1Fet类型1:N 通道 2漏源极电压(vdss)2:600V 3电流-连续漏极(id)3:6.2A(Ta) 4Vgs(最大值)4:±30V 5功率-最大值:60W(Tc) 6工作温度:150°C(TJ)
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