SQD19P06-60L_GE3

IRF40R207Infineon/英飞凌TO-252，（D-Pak）865

MOSFET N-CH 40V 56A DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

SQD40N06-25L-GE3Vishay/威世TO-252，（D-Pak）2014

MOSFET N-CH 60V 30A TO252

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

SQD45N05-20L-GE3Vishay/威世TO-252，（D-Pak）2015

MOSFET N-CH 50V 50A TO252

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

SUD50N06-08H-E3Vishay/威世TO-252，（D-Pak）2025

MOSFET N-CH 60V 93A TO252

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTY1R4N100PIXYS/艾赛斯TO-252，（D-Pak）2112

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：