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SI1424EDH-T1-GE3

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制造商编号：SI1424EDH-T1-GE3复制

制造商名称：Vishay/威世复制

制造商封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

商品类别：单通道MOS管

商品编号：1039-7545

商品描述：MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363

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详细参数
产品属性 属性值
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Fet类型: N 通道
漏源极电压(vdss): 20V
电流-连续漏极(id): 4A（Tc）
Vgs(最大值): ±8V
功率-最大值: 1.56W（Ta），2.8W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
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SI1424EDH-T1-GE3-VBVBsemi/微碧SC70-6 55519
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SI1443EDH-T1-GE3Vishay/威世SOT-3637674
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：20V 3电流-连续漏极(id)3：4A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±8V 5功率-最大值：1.56W（Ta），2.8W（Tc） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
SI1411DH-T1-GE3Vishay/威世SOT-3638205
MOSFET P-CH 150V 420MA SC70
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NMSD200B01-7DIODES/美台SOT-36316111
MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：20V 3电流-连续漏极(id)3：4A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±8V 5功率-最大值：1.56W（Ta），2.8W（Tc） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
SI1416EDH-T1-GE3Vishay/威世SOT-36329878
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：20V 3电流-连续漏极(id)3：4A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±8V 5功率-最大值：1.56W（Ta），2.8W（Tc） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
SI1414DH-T1-GE3Vishay/威世SOT-36329965
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：20V 3电流-连续漏极(id)3：4A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±8V 5功率-最大值：1.56W（Ta），2.8W（Tc） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
DMN2075UDW-7DIODES/美台SOT-36331437
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：20V 3电流-连续漏极(id)3：4A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±8V 5功率-最大值：1.56W（Ta），2.8W（Tc） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
SI1441EDH-T1-GE3Vishay/威世SOT-36336560
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
1Fet类型1：N 通道 2漏源极电压(vdss)2：20V 3电流-连续漏极(id)3：4A（Tc） 4Vgs(最大值)4：±8V 5功率-最大值：1.56W（Ta），2.8W（Tc） 6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
SI1489EDH-T1-GE3Vishay/威世SOT-36337122
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
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