| 产品属性 | 属性值 |
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| 系列 | - |
| Fet类型: | P 通道 |
| 漏源极电压(vdss): | 12V |
| 电流-连续漏极(id): | 9A(Ta) |
| Vgs(最大值): | ±8V |
| 功率-最大值: | 2.5W(Ta) |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
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SOP8;P—Channel沟道,-12V;-16A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V;Vth=-0.5~1V;
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:12V
3电流-连续漏极(id)3:9A(Ta)
4Vgs(最大值)4:±8V
5功率-最大值:2.5W(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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TPS1101DG4TI/德州仪器8-SOIC2002
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:12V
3电流-连续漏极(id)3:9A(Ta)
4Vgs(最大值)4:±8V
5功率-最大值:2.5W(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:12V
3电流-连续漏极(id)3:9A(Ta)
4Vgs(最大值)4:±8V
5功率-最大值:2.5W(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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STSJ25NF3LLST/意法半导体8-SOIC3347
MOSFET N-CH 30V 25A 8-PWRSOIC
1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:12V
3电流-连续漏极(id)3:9A(Ta)
4Vgs(最大值)4:±8V
5功率-最大值:2.5W(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:12V
3电流-连续漏极(id)3:9A(Ta)
4Vgs(最大值)4:±8V
5功率-最大值:2.5W(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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1Fet类型1:P 通道
2漏源极电压(vdss)2:12V
3电流-连续漏极(id)3:9A(Ta)
4Vgs(最大值)4:±8V
5功率-最大值:2.5W(Ta)
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