| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | PowerTrench® |
| Fet类型: | N 通道 |
| 漏源极电压(vdss): | 25V |
| 电流-连续漏极(id): | 35A(Tc) |
| Vgs(最大值): | ±20V |
| 功率-最大值: | 39W(Tc) |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 同类热销产品 | ||
|---|---|---|
|
FDD8778-VBVBsemi/微碧TO252
55408
N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V);TO252
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:25V
3电流-连续漏极(id)3:35A(Tc)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:39W(Tc)
6工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
|
|
|
IXTY1N80IXYS/艾赛斯TO-252AA2359
MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:25V
3电流-连续漏极(id)3:35A(Tc)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:39W(Tc)
6工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
|
|
|
IXTY01N80IXYS/艾赛斯TO-252AA5301
MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:25V
3电流-连续漏极(id)3:35A(Tc)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:39W(Tc)
6工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
|
|
|
SQD30N05-20L_GE3Vishay/威世TO-252AA5656
MOSFET N-CH 55V 30A TO252
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:25V
3电流-连续漏极(id)3:35A(Tc)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:39W(Tc)
6工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
|
|
|
SQD97N06-6M3L_GE3Vishay/威世TO-252AA5862
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:25V
3电流-连续漏极(id)3:35A(Tc)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:39W(Tc)
6工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
|
|
|
SQD50N05-11L_GE3Vishay/威世TO-252AA5902
MOSFET N-CH 50V 50A TO252
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:25V
3电流-连续漏极(id)3:35A(Tc)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:39W(Tc)
6工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
|
|