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AO7600

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制造商编号：AO7600复制

制造商名称：AOS/万代复制

制造商封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

商品类别：多通道MOS管

商品编号：1041-259

商品描述：MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

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详细参数
产品属性 属性值
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Fet类型: N 和 P 沟道
漏源极电压(vdss): 20V
电流-连续漏极(id): 900mA，600mA
最大功率值: 300mW
Fet功能: 逻辑电平门
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
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AO7600-VBVBsemi/微碧SC70-6 6031
SC70-6；N+P—Channel沟道,±20V；3.28/-2.8A；RDS(ON)=90/155mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=±0.45~1V；
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FDG6303NONSEMI/安森美SC-70-613
MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
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2N7002DWONSEMI/安森美SC-70-614
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
1Fet类型1：N 和 P 沟道 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：20V 3电流-连续漏极(id)3：900mA，600mA 4最大功率值4：300mW 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
FDG6320CONSEMI/安森美SC-70-636
MOSFET N/P-CH 25V 220/140MA SC88
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FDG6322CONSEMI/安森美SC-70-649
MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
1Fet类型1：N 和 P 沟道 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：20V 3电流-连续漏极(id)3：900mA，600mA 4最大功率值4：300mW 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
FDG6306PONSEMI/安森美SC-70-653
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
1Fet类型1：N 和 P 沟道 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：20V 3电流-连续漏极(id)3：900mA，600mA 4最大功率值4：300mW 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
FDG8842CZONSEMI/安森美SC-70-660
MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6
1Fet类型1：N 和 P 沟道 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：20V 3电流-连续漏极(id)3：900mA，600mA 4最大功率值4：300mW 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
FDG6332CONSEMI/安森美SC-70-664
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
1Fet类型1：N 和 P 沟道 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：20V 3电流-连续漏极(id)3：900mA，600mA 4最大功率值4：300mW 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
FDG1024NZONSEMI/安森美SC-70-677
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6
1Fet类型1：N 和 P 沟道 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：20V 3电流-连续漏极(id)3：900mA，600mA 4最大功率值4：300mW 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
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