产品属性 | 属性值 |
---|---|
系列 | - |
存储器格式: | DRAM |
存储容量: | 512Mb (16M x 32) |
存储器接口: | 5.4ns |
电压-电源: | 3V ~ 3.6V |
存储器类型: | 易失 |
工作温度: | -40°C ~ 85°C(TA) |
同类热销产品 | ||
---|---|---|
![]() |
IS42S32160B-6BLIISSI/芯成90-WBGA(11x13)23630
IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
|
![]() |
![]() |
IS42S32160B-75EBLIISSI/芯成90-WBGA(11x13)23634
IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
|
![]() |
![]() |
IS42S32160B-75EBLI-TRISSI/芯成90-WBGA(11x13)23635
IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
|
![]() |