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Analog Devices Inc. 亚德诺

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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品牌： Analog Devices Inc.复制 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：4
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 15V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：24-SOIC
料号：P4-715
包装： 1000个/ 卷带（TR）
参考价格:￥64.500400
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品牌： Analog Devices Inc.复制 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：4
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 15V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：24-SOIC
料号：P4-4564
包装： 32个/ 管件
参考价格:￥64.500400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LT1162CSW#PBF' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
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总额：
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