Central公司介绍和产品目录_Central Semiconductor Corp_中央半导体专区_授权代理商

商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： CMR1U-06M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-334 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH1-60M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 60V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-335 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-10M TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-665 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH2-60M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-827 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-04M TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 400V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-1173 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-01M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 100V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-1353 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-04M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 400V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-1412 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-02M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 200V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-1453 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH2-20M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 20V 2A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-1728 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH2-40M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 40V 2A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-1959 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH1-40M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 40V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-2030 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1-04M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 400V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-3796 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1-10M TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-4282 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1F-10M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-4473 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1-06M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-5040 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH1-100M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-5163 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH1-150HE TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 150V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-5479 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1F-04M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 400V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-5970 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1-02M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 200V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-6381 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1F-02M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 200V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-6382 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： CMR1U-06M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-334 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH1-60M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 60V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-335 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-10M TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-665 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH2-60M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-827 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-04M TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 400V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-1173 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-01M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 100V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-1353 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-04M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 400V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-1412 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-02M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 200V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-1453 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH2-20M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 20V 2A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-1728 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH2-40M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 40V 2A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-1959 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH1-40M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 40V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-2030 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1-04M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 400V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-3796 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1-10M TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-4282 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1F-10M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-4473 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1-06M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-5040 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH1-100M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-5163 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH1-150HE TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 150V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-5479 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1F-04M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 400V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-5970 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1-02M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 200V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-6381 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.689300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
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