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Diodes Incorporated 美台半导体

DIODES

二极管 - 整流器 - 单路 [清除]

封装图	商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
	状态：在售型号： 1N4448-T复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:500mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：500mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1V @ 10mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）：4ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：5µA @ 75V	丝印：外壳：封装：DO-35 料号：E3-9010 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SD101A-A-F复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： DIODE SCHOTTKY 60V 15MA DO35 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:500mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1V @ 15mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）：1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：200nA @ 50V	丝印：外壳：封装：DO-35 料号：E3-9204 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SD101A-T复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： DIODE SCHOTTKY 60V 15MA DO35 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:500mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1V @ 15mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）：1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：200nA @ 50V	丝印：外壳：封装：DO-35 料号：E3-9374 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SD103C-A-F复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： DIODE SCHOTTKY 20V 350MA DO35 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:500mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）：600mV @ 200mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：5µA @ 10V	丝印：外壳：封装：DO-35 料号：E3-11615 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SD101A-A复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： DIODE SCHOTTKY 60V 15MA DO35 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:500mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1V @ 15mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）：1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：200nA @ 50V	丝印：外壳：封装：DO-35 料号：E3-13190 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SD101C-T复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： DIODE SCHOTTKY 40V 15MA DO35 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:500mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）：900mV @ 15mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）：1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：200nA @ 30V	丝印：外壳：封装：DO-35 料号：E3-13191 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SD103A-T复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： DIODE SCHOTTKY 40V 350MA DO35 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:500mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）：600mV @ 200mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：5µA @ 30V	丝印：外壳：封装：DO-35 料号：E3-13194 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SD103B复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： DIODE SCHOTTKY 30V 350MA DO35 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:500mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）：600mV @ 200mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：5µA @ 20V	丝印：外壳：封装：DO-35 料号：E3-13195 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SD103B-T复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： DIODE SCHOTTKY 30V 350MA DO35 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:500mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:剪切带（CT）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：DO-35 料号：E3-13196 资料：规格书/封装库包装：剪切带（CT）		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SD103C-T复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： DIODE SCHOTTKY 20V 350MA DO35 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:500mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:剪切带（CT）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）：600mV @ 200mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：5µA @ 10V	丝印：外壳：封装：DO-35 料号：E3-13197 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： 1N4148-T复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:500mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:剪切带（CT）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:150mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：150mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1V @ 10mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）：4ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：5µA @ 75V	丝印：外壳：封装：DO-35 料号：E3-13202 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： SD103B-F复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： DIODE SCHOTTKY 30V 350MA DO35 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:500mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:剪切带（CT）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:150mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）：600mV @ 200mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：5µA @ 20V	丝印：外壳：封装：DO-35 料号：E3-18839 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥1.039600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： SD101B-T复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： DIODE SCHOTTKY 50V 15MA DO35 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:500mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:剪切带（CT）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:150mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:350mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:125°C（最大）包装: 二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 15mA 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:2.1pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：15mA（DC）不同 if 时的电压 - 正向（vf）：950mV @ 15mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：1ns 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：200nA @ 40V	丝印：外壳：封装：DO-35 料号：E3-22046 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥1.039600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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