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DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123F
参数：
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|
二极管类型：肖特基
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|
丝印：
外壳：
封装：SOD-123F
料号：E3-5779
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDM160S1FQ-7' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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可供数量:咨询
咨询客服
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丝印：
外壳：
封装：SOD-123F
料号：E3-14481
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
DIODE SBR 40V 1A SOD123F
参数：
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二极管类型：超级势垒
电流 - 平均整流（io）：1A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：510mV @ 1A
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丝印：
外壳：
封装：SOD-123F
料号：E3-15734
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBR140S1F-7' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述：
DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F
参数：
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|
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|
丝印：
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封装：SOD-123F
料号：E3-15882
包装：
|
|
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描述：
DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F
参数：
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描述：
DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F
参数：
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描述：
DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F
参数：
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|
丝印：
外壳：
封装：SOD-123F
料号：E3-16852
包装：
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|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S1MWF-7' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MBR230S1F-7复制
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描述：
DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD123F
参数：
*二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:48pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:6pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:6pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:420mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:75pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装:
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二极管类型：肖特基
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丝印：
外壳：
封装：SOD-123F
料号：E3-17426
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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型号： SBR2U60S1F-7复制
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DIODE SBR 60V 2A SOD123F
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二极管类型：超级势垒
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不同 if 时的电压 - 正向（vf）：510mV @ 2A
速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
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不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：150µA @ 60V
|
丝印：
外壳：
封装：SOD-123F
料号：E3-20938
包装：
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描述：
DIODE SW 130V 215MA SOD123F
参数：
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丝印：
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料号：E3-21543
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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二极管类型：标准
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丝印：
外壳：
封装：SOD-123F
料号：E3-21560
包装：
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描述：
DIODE GEN PURP 85V 215MA SOD123F
参数：
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丝印：
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封装：SOD-123F
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F
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*二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:48pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:6pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:6pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:420mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:75pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 2A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:75pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:215mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:215mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:
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料号：E3-21976
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描述：
DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123F
参数：
*二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:48pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:6pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:6pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:420mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:75pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 2A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:75pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:215mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:215mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:820mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:
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描述：
DIODE SBR 40V 1A SOD123F
参数：
*二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:48pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:6pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:6pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:420mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:75pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 2A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:75pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:215mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:215mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:820mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:15ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装:
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二极管类型：超级势垒
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|
丝印：
外壳：
封装：SOD-123F
料号：E3-22035
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F
参数：
*二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:48pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:6pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:6pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:420mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:75pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 2A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:75pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:215mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:215mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:820mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:15ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:
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二极管类型：标准
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123F
参数：
*二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:48pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:6pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:6pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:420mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:75pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 2A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:75pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:215mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:215mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:820mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:15ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:650mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:45pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:
|
二极管类型：肖特基
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速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：200µA @ 60V
|
丝印：
外壳：
封装：SOD-123F
料号：E3-22928
包装：
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'B160S1F-7' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： B240S1F-7复制
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DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD123F
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*二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:48pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:6pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:6pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:420mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:75pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 2A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:75pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:215mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:215mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:820mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:15ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:650mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:45pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:100pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:
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二极管类型：肖特基
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丝印：
外壳：
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料号：E3-22943
包装：
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型号： SBR2M60S1F-7复制
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描述：
DIODE SBR 60V 2A SOD123F
参数：
*二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:48pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:6pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:6pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:420mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:75pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 2A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:75pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:215mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:215mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:820mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:15ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:650mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:45pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:100pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 2A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:800nA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装:
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二极管类型：超级势垒
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丝印：
外壳：
封装：SOD-123F
料号：E3-22985
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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可供数量:咨询
总额：
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型号： US1DWF-7复制
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描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123F
参数：
*二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:48pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:60µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:6pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:6pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:420mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:75pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 2A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:75pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:215mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:215mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:3µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:820mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:510mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:15ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:500ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:650mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:45pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:100pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:超级势垒 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 2A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:800nA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:35ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:14pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:
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二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：1A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：950mV @ 1A
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：35ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：5µA @ 200V
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丝印：
外壳：
封装：SOD-123F
料号：E3-22997
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'US1DWF-7' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
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