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Diodes Incorporated 美台半导体

DIODES

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状态： 在售
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323
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二极管类型：-
电流 - 平均整流（io）：-
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：-
速度：-
反向恢复时间（trr）：-
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丝印：
外壳：
封装：SOT-323
料号：E3-1020
包装：
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可供数量:咨询
个
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT323
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替代：
二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：70mA（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1V @ 15mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）：5ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：100nA @ 50V
丝印：
外壳：
封装：SOT-323
料号：E3-11888
包装：
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可供数量:咨询
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描述： DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOT323
参数： *二极管类型:- 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:- *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- *反向恢复时间（trr）:- *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 标签: 工作温度 - 结:- 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:30mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装:
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外壳：
封装：SOT-323
料号：E3-11945
包装：
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咨询客服
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323
参数： *二极管类型:- 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:- *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- *反向恢复时间（trr）:- *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 标签: 工作温度 - 结:- 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:30mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 12 包装:
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丝印：
外壳：
封装：SOT-323
料号：E3-13238
包装：
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
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外壳：
封装：SOT-323
料号：E3-13259
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT323
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料号：E3-13385
包装：
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT323
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOT323
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丝印：
外壳：
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料号：E3-16071
包装：
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT323
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT323
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替代：
二极管类型：肖特基
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不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1V @ 15mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）：5ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：100nA @ 50V
丝印：
外壳：
封装：SOT-323
料号：E3-17356
包装：
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT323
参数： *二极管类型:- 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:- *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- *反向恢复时间（trr）:- *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 标签: 工作温度 - 结:- 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:30mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:30mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:
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封装：SOT-323
料号：E3-17678
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT323
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丝印：
外壳：
封装：SOT-323
料号：E3-17706
包装：
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323
参数： *二极管类型:- 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:- *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- *反向恢复时间（trr）:- *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 标签: 工作温度 - 结:- 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:30mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:30mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:
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外壳：
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料号：E3-17766
包装：
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323
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封装：SOT-323
料号：E3-18771
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参考价格:￥0.621500
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323
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封装：SOT-323
料号：E3-18772
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描述： DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD323
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323
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替代：
二极管类型：标准
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丝印：
外壳：
封装：SOT-323
料号：E3-18915
包装：
参考价格:￥0.621500
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323
参数： *二极管类型:- 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:- *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- *反向恢复时间（trr）:- *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 标签: 工作温度 - 结:- 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:30mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:30mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:- 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:- *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- *反向恢复时间（trr）:- *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 标签: 工作温度 - 结:- 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 70V 不同 Vr、F 时电容:3.5pF @ 6V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:100mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 70V 不同 Vr、F 时电容:3.5pF @ 6V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT323
参数： *二极管类型:- 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:- *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- *反向恢复时间（trr）:- *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 标签: 工作温度 - 结:- 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:30mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:30mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:370mV @ 1mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-40°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:70mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 12 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:50ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:- 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:- *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- *反向恢复时间（trr）:- *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 标签: 工作温度 - 结:- 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 70V 不同 Vr、F 时电容:3.5pF @ 6V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:100mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:250mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 70V 不同 Vr、F 时电容:3.5pF @ 6V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: *二极管类型:- 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:- *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- *反向恢复时间（trr）:- *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 标签: 工作温度 - 结:- 包装:
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