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Diodes Incorporated 美台半导体

DIODES

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： PREBIAS TRANSISTOR SOT23
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替代：
晶体管类型：NPN - 预偏压
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电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）：300mV @ 500µA，10mA
频率 - 跃迁：250MHz
功率 - 最大值：310mW
丝印：
外壳：
封装：SOT-23
料号：JTG2-18754
包装：
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可供数量:咨询
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描述： PREBIAS TRANSISTOR SOT23
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封装：SOT-23
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描述： PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 10K
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描述： PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 10K
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丝印：
外壳：
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包装：
参考价格:￥0.305100
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外壳：
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料号：JTG2-18988
包装：
参考价格:￥0.305100
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 3K
参数： *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:310mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:310mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:310mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:310mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:1 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:310mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:310mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:310mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:310mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:310mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:310mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:1 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:310mW 安装类型:表面贴装型 标签:
替代：
晶体管类型：NPN - 预偏压
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）：300mV @ 1mA，10mA
频率 - 跃迁：250MHz
功率 - 最大值：310mW
丝印：
外壳：
封装：SOT-23
料号：JTG2-18994
包装：
参考价格:￥0.305100
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ADTC113TCAQ-7' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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