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Diodes Incorporated 美台半导体

DIODES

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描述： TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
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替代：
晶体管类型：NPN - 预偏压
电流 - 集电极（ic）（最大值）：600mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
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频率 - 跃迁：200MHz
功率 - 最大值：200mW
丝印：(请登录)
外壳：
封装：SOT-363
料号：JTG2-15750
包装：
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可供数量:咨询
个
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型号： DRDPB16W-7复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DRDPB16W-7' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DRDPB16W-7' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363
参数： *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:220 Ohms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:220 Ohms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:
替代：
晶体管类型：PNP - 预偏压 + 二极管
电流 - 集电极（ic）（最大值）：600mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）：300mV @ 2.5mA，50mA
频率 - 跃迁：200MHz
功率 - 最大值：200mW
丝印：(请登录)
外壳：
封装：SOT-363
料号：JTG2-17862
包装：
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DRDPB16W-7' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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