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Diodes Incorporated 美台半导体

DIODES

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 [清除]

封装图	商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
	状态：在售型号： DMN26D0UDJ-7复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963 参数： fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:240mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14.1pF @ 15V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N-通道（双） fet 功能：逻辑电平门漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极（id）：240mA 功率 - 最大值：300mW	丝印：外壳：封装：SOT-963 料号：JTG10-223 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： DMC2990UDJ-7复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： MOSFET N/P-CH 20V SOT963 参数： fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:240mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14.1pF @ 15V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA，310mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：N 和 P 沟道 fet 功能：逻辑电平门漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极（id）：450mA，310mA 功率 - 最大值：350mW	丝印：外壳：封装：SOT-963 料号：JTG10-226 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： DMN2990UDJ-7复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963 参数： fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:240mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14.1pF @ 15V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA，310mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N-通道（双） fet 功能：逻辑电平门漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极（id）：450mA 功率 - 最大值：350mW	丝印：外壳：封装：SOT-963 料号：JTG10-230 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： DMP210DUDJ-7复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963 参数： fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:240mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14.1pF @ 15V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA，310mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 P 沟道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.44pF @ 15V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 个 P 沟道（双） fet 功能：逻辑电平门漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极（id）：200mA 功率 - 最大值：330mW	丝印：外壳：封装：SOT-963 料号：JTG10-627 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： DMC31D5UDJ-7B复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： MOSFET N/P-CH 30V SOT963 参数： fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:240mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14.1pF @ 15V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA，310mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 P 沟道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.44pF @ 15V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:220mA，200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.38nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22.6pF @ 15V *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：N 和 P 沟道 fet 功能：逻辑电平门漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极（id）：220mA，200mA 功率 - 最大值：350mW	丝印：外壳：封装：SOT-963 料号：JTG10-628 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： DMC31D5UDJ-7复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： MOSFET N/P-CH 30V SOT963 参数： fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:240mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14.1pF @ 15V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA，310mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 P 沟道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.44pF @ 15V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:220mA，200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.38nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22.6pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:220mA，200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.38nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22.6pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：N 和 P 沟道 fet 功能：逻辑电平门漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极（id）：220mA，200mA 功率 - 最大值：350mW	丝印：外壳：封装：SOT-963 料号：JTG10-1287 包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： DMC2990UDJQ-7复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963 参数： fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:240mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14.1pF @ 15V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA，310mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 P 沟道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.44pF @ 15V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:220mA，200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.38nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22.6pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:220mA，200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.38nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22.6pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道互补型 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA（Ta），310mA（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V *功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：N 和 P 沟道互补型 fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极（id）：450mA（Ta），310mA（Ta）功率 - 最大值：350mW（Ta）	丝印：外壳：封装：SOT-963 料号：JTG10-3267 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.678000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： DMC2990UDJQ-7B复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963 参数： fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:240mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14.1pF @ 15V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA，310mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 P 沟道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.44pF @ 15V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:220mA，200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.38nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22.6pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:220mA，200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.38nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22.6pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道互补型 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA（Ta），310mA（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道互补型 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA（Ta），310mA（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：N 和 P 沟道互补型 fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极（id）：450mA（Ta），310mA（Ta）功率 - 最大值：350mW（Ta）	丝印：外壳：封装：SOT-963 料号：JTG10-3268 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.678000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： DMN2990UDJQ-7复制品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体描述： MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963 参数： fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:240mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14.1pF @ 15V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA，310mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 个 P 沟道（双） fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.44pF @ 15V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:220mA，200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.38nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22.6pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极（id）:220mA，200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.38nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22.6pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道互补型 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA（Ta），310mA（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:N 和 P 沟道互补型 fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极（id）:450mA（Ta），310mA（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: fet 类型:2 N-通道（双） fet 功能:标准漏源极电压（vdss）:标准电流 - 连续漏极（id）:450mA（Ta）不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V *功率 - 最大值:27.6pF @ 16V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型标签: 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列替代：	fet 类型：2 N-通道（双） fet 功能：标准漏源极电压（vdss）：标准电流 - 连续漏极（id）：450mA（Ta）功率 - 最大值：27.6pF @ 16V	丝印：外壳：封装：SOT-963 料号：JTG10-3281 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.678000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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