Diodes Incorporated 美台半导体

DIODES

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功率 - 最大值:1.4W
丝印:(请登录)
外壳:
封装:U-DFN2020-6
料号:JTG10-436
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丝印:(请登录)
外壳:
封装:U-DFN2020-6
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包装:
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外壳:
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包装:
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电流 - 连续漏极(id):7.7A
功率 - 最大值:700mW
丝印:(请登录)
外壳:
封装:U-DFN2020-6
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包装:
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品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
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丝印:
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包装:
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封装:U-DFN2020-6
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品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
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替代:
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丝印:(请登录)
外壳:
封装:U-DFN2020-6
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包装:
参考价格:1.550023
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品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
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参数: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):5.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):6.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V *功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):61 毫欧 @ 3.6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.9nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):915pF @ 6V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):3.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):45 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):389pF @ 10V *功率 - 最大值:730mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):3.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):45 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):389pF @ 10V *功率 - 最大值:730mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):5.6A,3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):3.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 2.9A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):881pF @ 10V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):4.7A,3.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):40 毫欧 @ 4.2A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):713pF @ 10V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):4.7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):40 毫欧 @ 4.2A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):713pF @ 10V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):12V,20V *电流 - 连续漏极(id):6A,3.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):25 毫欧 @ 5.2A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):787pF @ 6V *功率 - 最大值:1.36W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):7.7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20 毫欧 @ 9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):393pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):5.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):61 毫欧 @ 3.6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.9nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):915pF @ 6V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道(双)共漏 *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):7.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.2 毫欧 @ 4.5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):887pF @ 10V *功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):6.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V *功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):5.6A,3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):6.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V *功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):6.2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V *功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
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品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020
参数: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):5.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):6.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V *功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):61 毫欧 @ 3.6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.9nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):915pF @ 6V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):3.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):45 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):389pF @ 10V *功率 - 最大值:730mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):3.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):45 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):389pF @ 10V *功率 - 最大值:730mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):5.6A,3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):3.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 2.9A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):881pF @ 10V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):4.7A,3.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):40 毫欧 @ 4.2A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):713pF @ 10V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):4.7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):40 毫欧 @ 4.2A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):713pF @ 10V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):12V,20V *电流 - 连续漏极(id):6A,3.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):25 毫欧 @ 5.2A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):787pF @ 6V *功率 - 最大值:1.36W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):7.7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20 毫欧 @ 9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):393pF @ 15V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):5.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):61 毫欧 @ 3.6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.9nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):915pF @ 6V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道(双)共漏 *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):20V *电流 - 连续漏极(id):7.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.2 毫欧 @ 4.5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):887pF @ 10V *功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):6.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V *功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):5.6A,3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):6.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V *功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道(双) *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):30V *电流 - 连续漏极(id):6.2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V *功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道互补型 *fet 功能:标准 *漏源极电压(vdss):12V *电流 - 连续漏极(id):5.1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):34 毫欧 @ 4.6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1003pF @ 6V *功率 - 最大值:1.36W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
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丝印:
外壳:
封装:U-DFN2020-6
料号:JTG10-1334
包装:
参考价格:1.550023
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品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
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替代:
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功率 - 最大值:700mW
丝印:(请登录)
外壳:
封装:U-DFN2020-6
料号:JTG10-1351
包装:
参考价格:1.550023
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