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Diodes Incorporated 美台半导体

DIODES

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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:12.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 10A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2248pF @ 10V *功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
替代：
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：12.2A（Ta）
功率 - 最大值：2.1W
丝印：(请登录)
外壳：
封装：V-DFN2050-4
料号：JTG10-1215
包装：
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可供数量:咨询
个
咨询客服
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN2050-4
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）:12.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 10A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2248pF @ 10V *功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:24V *电流 - 连续漏极（id）:9.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V *功率 - 最大值:1.07W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
替代：
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：24V
电流 - 连续漏极（id）：9.9A（Ta）
功率 - 最大值：1.07W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：V-DFN2050-4
料号：JTG10-3852
包装：
参考价格:￥2.203500
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