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Diodes Incorporated 美台半导体

DIODES

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替代：
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功率 - 最大值：1.1W
丝印：
外壳：
封装：V-DFN3030-8
料号：JTG10-703
包装：
参考价格:￥1.615900
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替代：
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fet 功能：标准
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功率 - 最大值：1.9W
丝印：
外壳：
封装：V-DFN3030-8
料号：JTG10-787
包装：
参考价格:￥1.615900
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丝印：
外壳：
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参考价格:￥1.615900
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描述： MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
参数： *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:7.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1415pF @ 15V *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:8A，10.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:641pF @ 15V *功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（双）非对称型 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.1 毫欧 @ 14.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 15V *功率 - 最大值:1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:3.1A，2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:731pF @ 20V *功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）:8.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:869pF @ 30V *功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
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