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Infineon Technologies 英飞凌

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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
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二极管类型：肖特基 - 单
电压 - 峰值反向（最大值）：4V
电流 - 最大值：110mA
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不同?if，f 时的电阻：-
功率耗散（最大值）：100mW
丝印：
外壳：
封装：PG-TSLP-2
料号：E2-339
包装：
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可供数量:咨询
个
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： RF DIODE PIN 50V 250MW TSLP-2
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功率耗散（最大值）：250mW
丝印：
外壳：
封装：PG-TSLP-2
料号：E2-822
包装：
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2
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封装：PG-TSLP-2
料号：E2-829
包装：
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咨询客服
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描述： RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2
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丝印：
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2
参数： *二极管类型:肖特基 - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:4V *电流 - 最大值:110mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 0V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:- *功率耗散（最大值）:100mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:50V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.3pF @ 5V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:80V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 1V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:80V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.4pF @ 1V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:600 毫欧 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:50V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.4pF @ 5V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:50V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.3pF @ 5V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:150V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 20V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:150V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 20V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:30V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.8pF @ 3V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:80V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.4pF @ 1V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:600 毫欧 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:80V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 1V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量: *二极管类型:肖特基 - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:40V *电流 - 最大值:20mA *不同?vr，f 时的电容:0.6pF @ 0V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:- *功率耗散（最大值）:100mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:80V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 1V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量:
替代：
二极管类型：PIN - 单
电压 - 峰值反向（最大值）：80V
电流 - 最大值：100mA
不同?vr，f 时的电容：0.35pF @ 1V，1MHz
不同?if，f 时的电阻：800 毫欧 @ 10mA，100MHz
功率耗散（最大值）：250mW
丝印：
外壳：
封装：PG-TSLP-2
料号：E2-1235
包装：
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR9002LRHE6327XTSA1' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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