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Infineon Technologies 英飞凌

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描述： DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO252-2
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二极管类型：碳化硅肖特基
电流 - 平均整流（io）：2A（DC）
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丝印：
外壳：
封装：PG-TO252-2
料号：E3-13008
包装：
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个
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： DIODE SCHTKY 1200V 38A PGTO252-2
参数： *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 2A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:18µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:182pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:5A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:33µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:301pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:8A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.95V @ 8A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:40µA @ 1200V 不同 Vr、F 时电容:365pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装: *二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:38A（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *速度:无恢复时间 > 500mA（Io） *反向恢复时间（trr）:0ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:62µA @ 12V 不同 Vr、F 时电容:29pF @ 800V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:
替代：
二极管类型：碳化硅肖特基
电流 - 平均整流（io）：38A（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.8V @ 10A
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间（trr）：0ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：62µA @ 12V
丝印：
外壳：
封装：PG-TO252-2
料号：E3-13049
包装：
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IDM10G120C5XTMA1' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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