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Infineon Technologies 英飞凌

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丝印：(请登录)
外壳：
封装：PG-SOT323-3
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频率 - 跃迁：1.4GHz
增益：-
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丝印：(请登录)
外壳：
封装：PG-SOT323-3
料号：JTG3-3321
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描述： RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
参数： *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *增益:10.5dB ~ 15.5dB *功率 - 最大值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:90mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *增益:19dB *功率 - 最大值 :175mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:20mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *增益:10.5dB ~ 16dB *功率 - 最大值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:15V *频率 - 跃迁:1.4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz *增益:- *功率 - 最大值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 2mA，1V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:25mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装: *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *增益:19dB *功率 - 最大值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 10mA，8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: 包装:
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描述： RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3
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描述： RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT323-3
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描述： RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT323-3
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外壳：
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晶体管类型：NPN
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晶体管类型：NPN
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外壳：
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包装：
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替代：
晶体管类型：NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：15V
频率 - 跃迁：1.4GHz
增益：-
功率 - 最大值 ：280mW
丝印：
外壳：
封装：PG-SOT323-3
料号：JTG3-4366
包装：
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BFS17WH6393XTSA1' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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