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Infineon Technologies 英飞凌

Infineon

晶体管 - FET，MOSFET - 单 [清除]

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	状态：在售型号： IRF6641TRPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：200V 电流 - 连续漏极(id)：4.6A（Ta），26A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：2.8W（Ta），89W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET™ MZ 料号：JTG8-3772 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IRF6641TR1PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：200V 电流 - 连续漏极(id)：4.6A（Ta），26A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：2.8W（Ta），89W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET™ MZ 料号：JTG8-13421 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IRF6643TR1PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta），35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:34.5 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：150V 电流 - 连续漏极(id)：6.2A（Ta），35A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：2.8W（Ta），89W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET™ MZ 料号：JTG8-13426 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IRF6662TR1PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta），35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:34.5 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):8.3A（Ta），47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:22 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：8.3A（Ta），47A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：2.8W（Ta），89W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET™ MZ 料号：JTG8-13811 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IRF6668TR1PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta），35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:34.5 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):8.3A（Ta），47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:22 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：80V 电流 - 连续漏极(id)：55A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：2.8W（Ta），89W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET™ MZ 料号：JTG8-13817 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IRF6775MTR1PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta），35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:34.5 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):8.3A（Ta），47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:22 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:56 毫欧 @ 5.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1411pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：150V 电流 - 连续漏极(id)：4.9A（Ta），28A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：2.8W（Ta），89W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET™ MZ 料号：JTG8-14173 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IRF6785MTR1PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta），35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:34.5 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):8.3A（Ta），47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:22 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:56 毫欧 @ 5.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1411pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):3.4A（Ta），19A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），57W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：200V 电流 - 连续漏极(id)：3.4A（Ta），19A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：2.8W（Ta），57W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET™ MZ 料号：JTG8-14176 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IRF6668TR1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta），35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:34.5 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):8.3A（Ta），47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:22 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:56 毫欧 @ 5.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1411pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):3.4A（Ta），19A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），57W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：80V 电流 - 连续漏极(id)：55A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：2.8W（Ta），89W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET™ MZ 料号：JTG8-19867 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IRF6674TR1PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta），35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:34.5 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):8.3A（Ta），47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:22 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:56 毫欧 @ 5.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1411pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):3.4A（Ta），19A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），57W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):13.4A（Ta），67A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 13.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.6W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：13.4A（Ta），67A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：3.6W（Ta），89W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET™ MZ 料号：JTG8-20479 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IRF6668TRPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta），35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:34.5 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):8.3A（Ta），47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:22 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:56 毫欧 @ 5.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1411pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):3.4A（Ta），19A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），57W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):13.4A（Ta），67A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 13.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.6W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：80V 电流 - 连续漏极(id)：55A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：2.8W（Ta），89W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET™ MZ 料号：JTG8-22031 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IRF6662TRPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta），35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:34.5 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):8.3A（Ta），47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:22 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:56 毫欧 @ 5.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1411pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):3.4A（Ta），19A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），57W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):13.4A（Ta），67A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 13.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.6W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):8.3A（Ta），47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:22 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：8.3A（Ta），47A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：2.8W（Ta），89W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET™ MZ 料号：JTG8-22093 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IRF6775MTRPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta），35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:34.5 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):8.3A（Ta），47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:22 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:56 毫欧 @ 5.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1411pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):3.4A（Ta），19A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），57W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):13.4A（Ta），67A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 13.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.6W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):8.3A（Ta），47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:22 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:56 毫欧 @ 5.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1411pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：150V 电流 - 连续漏极(id)：4.9A（Ta），28A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：2.8W（Ta），89W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET™ MZ 料号：JTG8-22979 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IRF6674TRPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta），35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:34.5 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):8.3A（Ta），47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:22 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:56 毫欧 @ 5.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1411pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):3.4A（Ta），19A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），57W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):13.4A（Ta），67A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 13.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.6W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):8.3A（Ta），47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:22 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:56 毫欧 @ 5.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1411pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):13.4A（Ta），67A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 13.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.6W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：13.4A（Ta），67A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：3.6W（Ta），89W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET™ MZ 料号：JTG8-33005 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IRF6785MTRPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta），35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:34.5 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):8.3A（Ta），47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:22 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:56 毫欧 @ 5.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1411pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):3.4A（Ta），19A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），57W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):13.4A（Ta），67A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 13.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.6W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):8.3A（Ta），47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:22 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:56 毫欧 @ 5.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1411pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):13.4A（Ta），67A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 13.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.6W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):3.4A（Ta），19A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），57W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：200V 电流 - 连续漏极(id)：3.4A（Ta），19A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：2.8W（Ta），57W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET™ MZ 料号：JTG8-33024 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IRF6643TRPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):4.6A（Ta），26A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:59.9 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta），35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:34.5 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):8.3A（Ta），47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:22 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:56 毫欧 @ 5.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1411pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):3.4A（Ta），19A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），57W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):13.4A（Ta），67A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 13.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.6W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):55A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1320pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):8.3A（Ta），47A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:22 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:56 毫欧 @ 5.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1411pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):13.4A（Ta），67A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 13.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.6W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):3.4A（Ta），19A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），57W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:150V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta），35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:34.5 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.9V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2340pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：150V 电流 - 连续漏极(id)：6.2A（Ta），35A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：2.8W（Ta），89W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET™ MZ 料号：JTG8-33027 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘

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