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晶体管 - FET，MOSFET - 单 [清除]

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	状态：在售型号： AUIRF7737L2TR复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):31A（Ta），156A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.9 毫欧 @ 94A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):134nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5469pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：31A（Ta），156A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：3.3W（Ta），83W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET L6 料号：JTG8-3711 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥16.079900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： AUIRF7738L2TR复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):31A（Ta），156A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.9 毫欧 @ 94A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):134nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5469pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta），130A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 毫欧 @ 109A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):194nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7471pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），94W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：35A（Ta），130A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：3.3W（Ta），94W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET L6 料号：JTG8-3776 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥16.079900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： IRF6718L2TR1PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):31A（Ta），156A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.9 毫欧 @ 94A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):134nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5469pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta），130A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 毫欧 @ 109A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):194nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7471pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），94W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:25V 电流 - 连续漏极(id):61A（Ta），270A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.7 毫欧 @ 61A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.35V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):96nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6500pF @ 13V fet 功能:- 功率 - 最大值:4.3W（Ta），83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：25V 电流 - 连续漏极(id)：61A（Ta），270A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：4.3W（Ta），83W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET L6 料号：JTG8-19598 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥16.079900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： IRF7748L1TRPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFETL6 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):31A（Ta），156A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.9 毫欧 @ 94A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):134nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5469pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta），130A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 毫欧 @ 109A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):194nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7471pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），94W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:25V 电流 - 连续漏极(id):61A（Ta），270A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.7 毫欧 @ 61A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.35V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):96nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6500pF @ 13V fet 功能:- 功率 - 最大值:4.3W（Ta），83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):28A（Ta），148A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 89A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):220nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8075pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），94W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：28A（Ta），148A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：3.3W（Ta），94W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET L6 料号：JTG8-33086 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥16.079900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： IRF6718L2TRPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):31A（Ta），156A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.9 毫欧 @ 94A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):134nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5469pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta），130A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 毫欧 @ 109A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):194nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7471pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），94W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:25V 电流 - 连续漏极(id):61A（Ta），270A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.7 毫欧 @ 61A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.35V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):96nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6500pF @ 13V fet 功能:- 功率 - 最大值:4.3W（Ta），83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):28A（Ta），148A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 89A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):220nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8075pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），94W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:25V 电流 - 连续漏极(id):61A（Ta），270A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.7 毫欧 @ 61A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.35V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):96nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6500pF @ 13V fet 功能:- 功率 - 最大值:4.3W（Ta），83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：25V 电流 - 连续漏极(id)：61A（Ta），270A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：4.3W（Ta），83W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET L6 料号：JTG8-33135 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥16.079900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： IRF7738L2TRPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):31A（Ta），156A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.9 毫欧 @ 94A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):134nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5469pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta），130A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 毫欧 @ 109A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):194nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7471pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），94W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:25V 电流 - 连续漏极(id):61A（Ta），270A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.7 毫欧 @ 61A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.35V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):96nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6500pF @ 13V fet 功能:- 功率 - 最大值:4.3W（Ta），83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):28A（Ta），148A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 89A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):220nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8075pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），94W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:25V 电流 - 连续漏极(id):61A（Ta），270A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.7 毫欧 @ 61A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.35V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):96nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6500pF @ 13V fet 功能:- 功率 - 最大值:4.3W（Ta），83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta），184A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 毫欧 @ 109A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):194nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7471pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），94W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：35A（Ta），184A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：3.3W（Ta），94W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET L6 料号：JTG8-40347 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥16.079900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： IRF7737L2TRPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):31A（Ta），156A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.9 毫欧 @ 94A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):134nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5469pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta），130A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 毫欧 @ 109A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):194nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7471pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），94W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:25V 电流 - 连续漏极(id):61A（Ta），270A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.7 毫欧 @ 61A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.35V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):96nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6500pF @ 13V fet 功能:- 功率 - 最大值:4.3W（Ta），83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):28A（Ta），148A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.2 毫欧 @ 89A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):220nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8075pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），94W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:25V 电流 - 连续漏极(id):61A（Ta），270A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.7 毫欧 @ 61A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.35V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):96nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6500pF @ 13V fet 功能:- 功率 - 最大值:4.3W（Ta），83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta），184A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.6 毫欧 @ 109A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):194nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7471pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），94W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):31A（Ta），156A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.9 毫欧 @ 94A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):134nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5469pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W（Ta），83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：31A（Ta），156A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：3.3W（Ta），83W（Tc）	丝印：外壳：封装：DIRECTFET L6 料号：JTG8-40348 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥16.079900	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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