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Infineon Technologies 英飞凌

Infineon

晶体管 - FET，MOSFET - 单 [清除]

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状态：在售型号： IRFU7540PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 90A IPAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：90A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：140W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-2693 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU7546PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 56A IPAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：56A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：99W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-2769 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRLU3915PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：30A（Tc） Vgs(最大值)：±16V fet 功能：- 功率 - 最大值：120W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-2857 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU7746PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N CH 75V 56A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：75V 电流 - 连续漏极(id)：56A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：99W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-2863 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU4510PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 56A IPAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：56A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：143W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-2871 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU48ZPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：42A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：91W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-2937 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU4620PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 200V 24A IPAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：200V 电流 - 连续漏极(id)：24A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：144W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-2950 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU7740PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N CH 75V 87A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):87A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.2 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4430pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：75V 电流 - 连续漏极(id)：87A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：140W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-3617 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRLU2905ZPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):87A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.2 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4430pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1570pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：42A（Tc） Vgs(最大值)：±16V fet 功能：- 功率 - 最大值：110W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-6669 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU1018EPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):87A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.2 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4430pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1570pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.4 毫欧 @ 47A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：56A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：110W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-9508 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU3709ZPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 30V 86A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):87A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.2 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4430pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1570pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.4 毫欧 @ 47A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):86A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):26nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2330pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:79W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：86A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：79W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-9531 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU220N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):87A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.2 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4430pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1570pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.4 毫欧 @ 47A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):86A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):26nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2330pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:79W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:43W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：200V 电流 - 连续漏极(id)：5A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：43W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-11129 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU3708复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):87A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.2 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4430pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1570pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.4 毫欧 @ 47A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):86A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):26nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2330pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:79W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:43W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2417pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:87W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：61A（Tc） Vgs(最大值)：±12V fet 功能：- 功率 - 最大值：87W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-11139 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU3707复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):87A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.2 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4430pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1570pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.4 毫欧 @ 47A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):86A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):26nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2330pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:79W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:43W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2417pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:87W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:87W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：61A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：87W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-11144 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU3706复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):87A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.2 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4430pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1570pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.4 毫欧 @ 47A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):86A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):26nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2330pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:79W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:43W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2417pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:87W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:87W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2410pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:88W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：75A（Tc） Vgs(最大值)：±12V fet 功能：- 功率 - 最大值：88W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-11146 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU5410复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： IRFU9014N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： IRFU2407复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： IRFU3709复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 30V 90A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 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最大值:88W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):13A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:205 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):58nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:66W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):5.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:270pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度:2.5W（Ta），25W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):41nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2672pF @ 16V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：90A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：120W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-11188 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU3711复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):87A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.2 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4430pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1570pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.4 毫欧 @ 47A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):86A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):26nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2330pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:79W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:43W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2417pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:87W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:87W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2410pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:88W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):13A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:205 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):58nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:66W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):5.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:270pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度:2.5W（Ta），25W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):41nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2672pF @ 16V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):100A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):44nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2980pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.5W（Ta），120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：100A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：2.5W（Ta），120W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-11190 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： IRFU7540PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 90A IPAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：90A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：140W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-2693 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU7546PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 56A IPAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：56A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：99W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-2769 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRLU3915PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：30A（Tc） Vgs(最大值)：±16V fet 功能：- 功率 - 最大值：120W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-2857 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU7746PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N CH 75V 56A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：75V 电流 - 连续漏极(id)：56A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：99W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-2863 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU4510PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 100V 56A IPAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：56A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：143W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-2871 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU48ZPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：42A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：91W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-2937 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU4620PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 200V 24A IPAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：200V 电流 - 连续漏极(id)：24A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：144W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-2950 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU7740PBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N CH 75V 87A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):87A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.2 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4430pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：75V 电流 - 连续漏极(id)：87A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：140W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-3617 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRLU2905ZPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):87A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.2 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4430pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1570pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：55V 电流 - 连续漏极(id)：42A（Tc） Vgs(最大值)：±16V fet 功能：- 功率 - 最大值：110W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-6669 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU1018EPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):87A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.2 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4430pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1570pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.4 毫欧 @ 47A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：56A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：110W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-9508 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU3709ZPBF复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 30V 86A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):87A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.2 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4430pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1570pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.4 毫欧 @ 47A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):86A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):26nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2330pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:79W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：86A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：79W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-9531 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU220N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):87A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.2 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4430pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1570pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.4 毫欧 @ 47A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):86A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):26nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2330pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:79W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:43W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：200V 电流 - 连续漏极(id)：5A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：43W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-11129 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU3708复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):87A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.2 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4430pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1570pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.4 毫欧 @ 47A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):86A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):26nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2330pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:79W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:43W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2417pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:87W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：61A（Tc） Vgs(最大值)：±12V fet 功能：- 功率 - 最大值：87W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-11139 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU3707复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):87A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.2 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4430pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1570pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.4 毫欧 @ 47A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):86A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):26nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2330pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:79W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:43W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2417pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:87W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:87W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：61A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：87W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-11144 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU3706复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):87A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.2 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4430pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1570pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.4 毫欧 @ 47A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):86A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):26nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2330pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:79W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:43W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2417pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:87W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:87W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2410pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:88W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：75A（Tc） Vgs(最大值)：±12V fet 功能：- 功率 - 最大值：88W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-11146 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU5410复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： IRFU9014N复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： IRFU2407复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： IRFU3709复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 30V 90A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):87A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.2 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4430pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1570pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.4 毫欧 @ 47A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):86A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):26nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2330pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:79W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:43W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2417pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:87W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:87W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2410pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:88W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):13A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:205 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):58nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:66W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):5.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:270pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度:2.5W（Ta），25W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):41nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2672pF @ 16V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：90A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：120W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-11188 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： IRFU3711复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.8 毫欧 @ 66A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):130nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):30A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):92nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.2 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3107pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:99W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13.9 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):81nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3031pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:143W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:11 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1720pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:91W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):38nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1710pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:144W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):87A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.2 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4430pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:140W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:55V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1570pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):56A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:8.4 毫欧 @ 47A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):69nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2290pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):86A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):26nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2330pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:79W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:43W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2417pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:87W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):61A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:87W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):75A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2410pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:88W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):13A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:205 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):58nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:66W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):5.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:270pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度:2.5W（Ta），25W（Tc）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:75V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:26 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):110nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):90A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:9 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):41nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2672pF @ 16V fet 功能:- 功率 - 最大值:120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):100A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):44nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2980pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.5W（Ta），120W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：100A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：2.5W（Ta），120W（Tc）	丝印：外壳：封装：IPAK（TO-251）料号：JTG8-11190 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥5.763000	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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