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Infineon Technologies 英飞凌

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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4
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替代：
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功率 - 最大值：1.8W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：PG-SOT223-4
料号：JTG8-742
包装：
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可供数量:咨询
个
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料号：JTG8-797
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
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替代：
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漏源极电压（vdss）：240V
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fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：1.8W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：PG-SOT223-4
料号：JTG8-977
包装：
参考价格:￥2.655500
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描述： MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
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外壳：
封装：PG-SOT223-4
料号：JTG8-6775
包装：
参考价格:￥2.655500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
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替代：
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漏源极电压（vdss）：100V
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丝印：
外壳：
封装：PG-SOT223-4
料号：JTG8-11338
包装：
参考价格:￥2.655500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 218µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13.1nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):980mA（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:900 毫欧 @ 980mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 380µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:319pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):120mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5V，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):1.2A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.7nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:152.7pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):210mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V，10V 不同id,vgs 时的rds on:18 欧姆 @ 210mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.8nC @ 5V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:135pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:240V *电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 350mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 108µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.7nC @ 5V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:108pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):120mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 120mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.9nC @ 5V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:146pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:800V *电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:20 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):370mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 370mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.4nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.79W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:240V *电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 350mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 108µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.7nC @ 5V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:108pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):1.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:368pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):1.1A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 1.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:364pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.79W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):1.17A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:800 毫欧 @ 1.17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 160µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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丝印：
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封装：PG-SOT223-4
料号：JTG8-11340
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参考价格:￥2.655500
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替代：
fet 类型：P 通道
漏源极电压（vdss）：60V
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功率 - 最大值：1.8W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：PG-SOT223-4
料号：JTG8-11448
包装：
参考价格:￥2.655500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 218µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13.1nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):980mA（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:900 毫欧 @ 980mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 380µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:319pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):120mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5V，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):1.2A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.7nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:152.7pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 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替代：
fet 类型：P 通道
漏源极电压（vdss）：60V
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丝印：
外壳：
封装：PG-SOT223-4
料号：JTG8-11450
包装：
参考价格:￥2.655500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 218µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13.1nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):980mA（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:900 毫欧 @ 980mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 380µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:319pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):120mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5V，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):1.2A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.7nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:152.7pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 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替代：
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丝印：
外壳：
封装：PG-SOT223-4
料号：JTG8-11452
包装：
参考价格:￥2.655500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 218µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13.1nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):980mA（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:900 毫欧 @ 980mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 380µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:319pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):120mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5V，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):1.2A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.7nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:152.7pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 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丝印：
外壳：
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料号：JTG8-11454
包装：
参考价格:￥2.655500
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 218µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13.1nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):980mA（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:900 毫欧 @ 980mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 380µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:319pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):120mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5V，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):1.2A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.7nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:152.7pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 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包装：
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:75V *电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 218µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13.1nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):980mA（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:900 毫欧 @ 980mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 380µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:319pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):120mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4.5V，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):1.2A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.7nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:152.7pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 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