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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
array(64) { ["id"]=> string(3) "790" ["pdf_add"]=> string(1) "-" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(1) "-" ["images"]=> string(78) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/3-SO-2.92-1.3-0.96.jpg" ["ljbh"]=> string(19) "BSS139H6906XTSA1-ND" ["zzsbh"]=> string(16) "BSS139H6906XTSA1" ["zddgs"]=> string(4) "6000" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(28) "MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23" ["xl"]=> string(8) "SIPMOS®" ["zzs"]=> string(21) "Infineon Technologies" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "250V" ["dl_lxlj"]=> string(13) "100mA（Ta）" ["qddy"]=> string(8) "0V，10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(23) "14 欧姆 @ 100mA，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(10) "1V @ 56µA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "3.5nC @ 5V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±20V" ["bt_vds_srdr"]=> string(10) "76pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(13) "360mW（Ta）" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(27) "TO-236-3，SC-59，SOT-23-3" ["gysqjfz"]=> string(12) "PG-SOT23-3-5" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(3) "804" ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： BSS139H6906XTSA1复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSS139H6906XTSA1' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSS139H6906XTSA1' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 100mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 56µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.5nC @ 5V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:76pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:360mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：250V
电流 - 连续漏极(id)：100mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：360mW（Ta）
丝印：
外壳：
封装：PG-SOT23-3-5
料号：JTG8-790
包装：
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSS139H6906XTSA1' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
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array(64) { ["id"]=> string(5) "46476" ["pdf_add"]=> string(110) "https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-BSS126I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017376e5a5f370d1" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(78) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/3-SO-2.92-1.3-0.96.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(12) "BSS126IXTSA1" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(13) "N-CHANNEL FET" ["xl"]=> string(8) "SIPMOS®" ["zzs"]=> string(21) "Infineon Technologies" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "600V" ["dl_lxlj"]=> string(12) "21mA（Ta）" ["qddy"]=> string(12) "21mA（Ta）" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(23) "500 欧姆 @ 16mA，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(11) "1.6V @ 8µA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(10) "1.4nC @ 5V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±20V" ["bt_vds_srdr"]=> string(10) "21pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(13) "500mW（Ta）" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(27) "TO-236-3，SC-59，SOT-23-3" ["gysqjfz"]=> string(12) "PG-SOT23-3-5" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> NULL ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(3) "804" ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1607649664" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： BSS126IXTSA1复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSS126IXTSA1' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSS126IXTSA1' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： N-CHANNEL FET
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 100mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 56µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.5nC @ 5V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:76pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:360mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):21mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):21mA（Ta） 不同id,vgs 时的rds on:500 欧姆 @ 16mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.6V @ 8µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 5V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:21pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:500mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：600V
电流 - 连续漏极(id)：21mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：500mW（Ta）
丝印：
外壳：
封装：PG-SOT23-3-5
料号：JTG8-46476
包装：
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSS126IXTSA1' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
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array(64) { ["id"]=> string(5) "46608" ["pdf_add"]=> string(107) "https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(78) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/3-SO-2.92-1.3-0.96.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(16) "ISS55EP06LMXTSA1" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(23) "MOSFET P-CH 60V SOT23-3" ["xl"]=> string(10) "OptiMOS™" ["zzs"]=> string(21) "Infineon Technologies" ["fetlx"]=> string(8) "P 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(3) "60V" ["dl_lxlj"]=> string(13) "180mA（Ta）" ["qddy"]=> string(10) "4.5V，10V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(24) "5.5 欧姆 @ 180mA，10V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(10) "2V @ 11µA" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(11) "590pC @ 10V" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±20V" ["bt_vds_srdr"]=> string(10) "18pF @ 30V" ["fetgn"]=> string(1) "-" ["gn_zdz"]=> string(13) "400mW（Ta）" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(27) "TO-236-3，SC-59，SOT-23-3" ["gysqjfz"]=> string(12) "PG-SOT23-3-5" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> NULL ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(3) "804" ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1607650229" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： ISS55EP06LMXTSA1复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISS55EP06LMXTSA1' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISS55EP06LMXTSA1' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET P-CH 60V SOT23-3
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V，10V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 100mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 56µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.5nC @ 5V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:76pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:360mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):21mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):21mA（Ta） 不同id,vgs 时的rds on:500 欧姆 @ 16mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.6V @ 8µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 5V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:21pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:500mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):180mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.5 欧姆 @ 180mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):590pC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:400mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：P 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：180mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：400mW（Ta）
丝印：
外壳：
封装：PG-SOT23-3-5
料号：JTG8-46608
包装：
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISS55EP06LMXTSA1' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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