Infineon公司介绍和产品目录_Infineon Technologies_英飞凌专区_授权代理商 - 辰科物联

首页 >> 所有制造商 >> Infineon

Infineon Technologies 英飞凌

Infineon

晶体管 - FET，MOSFET - 单 [清除]

封装图	商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
	状态：在售型号： BSD816SNL6327HTSA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：1.4A（Ta） Vgs(最大值)：±8V fet 功能：- 功率 - 最大值：500mW（Ta）	丝印：(请登录) 外壳：封装：PG-SOT363-6 料号：JTG8-727 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： BSD816SNH6327XTSA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):0.95V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：1.4A（Ta） Vgs(最大值)：±8V fet 功能：- 功率 - 最大值：500mW（Ta）	丝印：(请登录) 外壳：封装：PG-SOT363-6 料号：JTG8-730 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： BSD314SPEL6327HTSA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):0.95V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：1.5A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：500mW（Ta）	丝印：外壳：封装：PG-SOT363-6 料号：JTG8-733 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： BSD314SPEH6327XTSA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):0.95V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：1.5A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：500mW（Ta）	丝印：(请登录) 外壳：封装：PG-SOT363-6 料号：JTG8-736 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： BSV236SP L6327复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-363 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):0.95V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 8µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:228pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:560mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：1.5A（Ta） Vgs(最大值)：±12V fet 功能：- 功率 - 最大值：560mW（Ta）	丝印：外壳：封装：PG-SOT363-6 料号：JTG8-11467 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： BSD214SN L6327复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):0.95V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 8µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:228pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:560mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.8nC @ 5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：1.5A（Ta） Vgs(最大值)：±12V fet 功能：- 功率 - 最大值：500mW（Ta）	丝印：外壳：封装：PG-SOT363-6 料号：JTG8-19657 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： BSV236SPH6327XTSA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):0.95V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 8µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:228pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:560mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.8nC @ 5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 8µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:228pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:560mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：1.5A（Ta） Vgs(最大值)：±12V fet 功能：- 功率 - 最大值：560mW（Ta）	丝印：外壳：封装：PG-SOT363-6 料号：JTG8-24726 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： BSD316SNL6327XT复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):0.95V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 8µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:228pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:560mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.8nC @ 5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 8µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:228pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:560mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:94pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：1.4A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：500mW（Ta）	丝印：外壳：封装：PG-SOT363-6 料号：JTG8-32001 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： BSD214SNH6327XTSA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):0.95V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 8µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:228pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:560mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.8nC @ 5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 8µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:228pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:560mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:94pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.8nC @ 5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：1.5A（Ta） Vgs(最大值)：±12V fet 功能：- 功率 - 最大值：500mW（Ta）	丝印：外壳：封装：PG-SOT363-6 料号：JTG8-40064 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.587600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： BSD316SNH6327XTSA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，2.5V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，2.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):0.95V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 8µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:228pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:560mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.8nC @ 5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 8µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:228pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:560mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:94pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):1.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.8nC @ 5V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:94pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:500mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：1.4A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：500mW（Ta）	丝印：外壳：封装：PG-SOT363-6 料号：JTG8-40065 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.587600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

共有10个记录每页显示10条，本页1-10条 1/1页 1

辰科物联

https://www.chenkeiot.com/

已成功加入购物车！

去购物车结算继续采购

复制成功

IC型号索引：

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

业务介绍

购物指南

注册登录

找回密码

购物流程

常见问题

支付方式

配送方式

联系我们

直线：0755-28435922

总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼

联系我们

公司简介

关注我们

微信扫码

辰科物联介绍

粤公网安备号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2024 深圳市辰科物联有限公司版权所有

在线客服

LiFeng:2355289363

Hailee:2355289368

微信咨询
扫描即可免费关注公众号

服务热线

0755-28435922