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Infineon Technologies 英飞凌

Infineon

晶体管 - FET，MOSFET - 单 [清除]

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	状态：在售型号： BSS192PH6327XTSA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：250V 电流 - 连续漏极(id)：190mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1W（Ta）	丝印：外壳：封装：PG-SOT89 料号：JTG8-744 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥1.480300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： BSS606NH6327XTSA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:657pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：3.2A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1W（Ta）	丝印：外壳：封装：PG-SOT89 料号：JTG8-745 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥1.480300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： BSS225H6327XTSA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:657pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：90mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1W（Ta）	丝印：外壳：封装：PG-SOT89 料号：JTG8-750 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥1.480300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： BSS192PE6327复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:657pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：250V 电流 - 连续漏极(id)：190mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1W（Ta）	丝印：外壳：封装：PG-SOT89 料号：JTG8-11456 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥1.480300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： BSS192PL6327HTSA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:657pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：250V 电流 - 连续漏极(id)：190mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1W（Ta）	丝印：外壳：封装：PG-SOT89 料号：JTG8-13293 包装：	参考价格:￥1.480300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： BSS87L6327HTSA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:657pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:240V 电流 - 连续漏极(id):260mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 260mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 108µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:97pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：240V 电流 - 连续漏极(id)：260mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1W（Ta）	丝印：外壳：封装：PG-SOT89 料号：JTG8-13305 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥1.480300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： BSS192PE6327T复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:657pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:240V 电流 - 连续漏极(id):260mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 260mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 108µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:97pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：250V 电流 - 连续漏极(id)：190mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1W（Ta）	丝印：外壳：封装：PG-SOT89 料号：JTG8-13713 包装：	参考价格:￥1.480300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： BSS225复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:657pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:240V 电流 - 连续漏极(id):260mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 260mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 108µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:97pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：90mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1W（Ta）	丝印：外壳：封装：PG-SOT89 料号：JTG8-13894 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥1.480300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： BSS225L6327HTSA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:657pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:240V 电流 - 连续漏极(id):260mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 260mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 108µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:97pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：90mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1W（Ta）	丝印：外壳：封装：PG-SOT89 料号：JTG8-13895 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥1.480300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： BSS87 E6433复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:657pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:240V 电流 - 连续漏极(id):260mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 260mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 108µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:97pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:240V 电流 - 连续漏极(id):260mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 260mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 108µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:97pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：240V 电流 - 连续漏极(id)：260mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1W（Ta）	丝印：外壳：封装：PG-SOT89 料号：JTG8-13897 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥1.480300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： BSS192PH6327FTSA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:657pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:240V 电流 - 连续漏极(id):260mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 260mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 108µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:97pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:240V 电流 - 连续漏极(id):260mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 260mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 108µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:97pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：250V 电流 - 连续漏极(id)：190mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1W（Ta）	丝印：外壳：封装：PG-SOT89 料号：JTG8-21223 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥1.480300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
	状态：在售型号： BSS225H6327FTSA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.6nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:657pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:240V 电流 - 连续漏极(id):260mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 260mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 108µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:97pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:240V 电流 - 连续漏极(id):260mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 260mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.8V @ 108µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:97pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):190mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):6.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:104pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):90mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 90mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 94µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:131pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：90mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1W（Ta）	丝印：外壳：封装：PG-SOT89 料号：JTG8-21265 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥1.480300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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