Infineon公司介绍和产品目录_Infineon Technologies_英飞凌专区_授权代理商

封装图	商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
	状态：在售型号： BSC014N06NSATMA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):30A（Ta），100A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:1.45 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.8V @ 120µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):89nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6500pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.5W（Ta），156W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：30A（Ta），100A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：2.5W（Ta），156W（Tc）	丝印：外壳：封装：PG-TDSON-8-17 料号：JTG8-47267 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘