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Infineon Technologies 英飞凌

Infineon

晶体管 - FET，MOSFET - 单 [清除]

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	状态：在售型号： IAUC28N08S5L230ATMA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:23 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:867pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:38W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：80V 电流 - 连续漏极(id)：28A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：38W（Tc）	丝印：外壳：封装：PG-TDSON-8-33 料号：JTG8-46672 包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IPC50N04S5L5R5ATMA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:23 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:867pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:38W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):50A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.5 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1209pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：50A（Tc） Vgs(最大值)：±16V fet 功能：- 功率 - 最大值：42W（Tc）	丝印：外壳：封装：PG-TDSON-8-33 料号：JTG8-47052 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IPC50N04S55R8ATMA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:23 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:867pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:38W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):50A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.5 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1209pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):50A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.8 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.4V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1090pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：50A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：42W（Tc）	丝印：外壳：封装：PG-TDSON-8-33 料号：JTG8-47060 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IAUC41N06S5L100ATMA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： N-CHANNEL FET 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:23 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:867pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:38W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):50A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.5 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1209pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):50A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.8 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.4V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1090pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tj）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):41A（Tj）不同id,vgs 时的rds on:10 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16.4nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1.205nF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：41A（Tj） Vgs(最大值)：±16V fet 功能：- 功率 - 最大值：42W（Tc）	丝印：外壳：封装：PG-TDSON-8-33 料号：JTG8-47084 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IAUC70N08S5N074ATMA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:23 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:867pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:38W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):50A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.5 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1209pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):50A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.8 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.4V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1090pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tj）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):41A（Tj）不同id,vgs 时的rds on:10 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16.4nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1.205nF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):70A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.4 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.8V @ 36µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2080pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：80V 电流 - 连续漏极(id)：70A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：83W（Tc）	丝印：外壳：封装：PG-TDSON-8-33 料号：JTG8-47448 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IAUC120N04S6L008ATMA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:23 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:867pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:38W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):50A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.5 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1209pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):50A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.8 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.4V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1090pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tj）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):41A（Tj）不同id,vgs 时的rds on:10 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16.4nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1.205nF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):70A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.4 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.8V @ 36µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2080pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.8 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:150W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：120A（Tc） Vgs(最大值)：±16V fet 功能：- 功率 - 最大值：150W（Tc）	丝印：外壳：封装：PG-TDSON-8-33 料号：JTG8-47565 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IAUC120N04S6N009ATMA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:23 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:867pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:38W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):50A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.5 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1209pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):50A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.8 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.4V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1090pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tj）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):41A（Tj）不同id,vgs 时的rds on:10 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16.4nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1.205nF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):70A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.4 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.8V @ 36µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2080pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.8 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:150W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.4V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:150W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：120A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：150W（Tc）	丝印：外壳：封装：PG-TDSON-8-33 料号：JTG8-47569 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
	状态：在售型号： IAUC24N10S5L300ATMA1复制品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌描述： MOSFET_(75V 120V( 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):28A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:23 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:867pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:38W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):50A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.5 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1209pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):50A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.8 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.4V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1090pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):41A（Tj）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):41A（Tj）不同id,vgs 时的rds on:10 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16.4nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1.205nF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:42W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:80V 电流 - 连续漏极(id):70A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V，10V 不同id,vgs 时的rds on:7.4 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.8V @ 36µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2080pF @ 40V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.8 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):140nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7910pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:150W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):120A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V，10V 不同id,vgs 时的rds on:0.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.4V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:7360pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:150W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:100V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:30 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.2V @ 12µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:38W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：100V 电流 - 连续漏极(id)：24A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：38W（Tc）	丝印：外壳：封装：PG-TDSON-8-33 料号：JTG8-51018 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥2.949300	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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