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Infineon Technologies 英飞凌

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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
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替代：
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fet 功能：超级结
功率 - 最大值：20W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：PG-TO220 整包
料号：JTG8-854
包装：
参考价格:￥3.254400
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可供数量:咨询
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总额：
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丝印：
外壳：
封装：PG-TO220 整包
料号：JTG8-887
包装：
参考价格:￥3.254400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPA60R1K0CEXKSA1' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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外壳：
封装：PG-TO220 整包
料号：JTG8-947
包装：
参考价格:￥3.254400
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丝印：
外壳：
封装：PG-TO220 整包
料号：JTG8-2684
包装：
参考价格:￥3.254400
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描述： MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
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外壳：
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料号：JTG8-2825
包装：
参考价格:￥3.254400
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描述： MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
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替代：
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漏源极电压（vdss）：600V
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丝印：
外壳：
封装：PG-TO220 整包
料号：JTG8-3074
包装：
参考价格:￥3.254400
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
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料号：JTG8-3551
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参考价格:￥3.254400
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：PG-TO220 整包
料号：JTG8-3582
包装：
参考价格:￥3.254400
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):5A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.5 欧姆 @ 1.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.4nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 100V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:20W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):5.2A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.5 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:225pF @ 100V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:30W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):6.8A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 130µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 100V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:26W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):10.3A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 2.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:444pF @ 100V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:28W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):650V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:400毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 320µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):39nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:710pF @ 100V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:31W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:380 毫欧 @ 3.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 320µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):32nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 100V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:31W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):7.3A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 2.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 210µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):23nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:440pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:28W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):6A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:660 毫欧 @ 2.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:615pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:27.8W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):18.5A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 6.2A，13V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 510µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):47.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1137pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:32W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:120 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 390µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):34nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 400V *fet 功能:- *功率 - 最大值:32W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):31.2A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:110 毫欧 @ 12.7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1.3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):118nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3240pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:34.7W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):16A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 15.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 800µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):68nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2850pF @ 400V *fet 功能:- *功率 - 最大值:34W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):8.7A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:420 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 340µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):32nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:31.2W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):26.7A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 9.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 630µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):63nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 100V *fet 功能:超级结 *功率 - 最大值:34W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:800V *电流 - 连续漏极(id):10.8A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:460 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.9V @ 680µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:34W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极(id):10.6A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:380 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 320µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):39nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:710pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:31W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：650V
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丝印：
外壳：
封装：PG-TO220 整包
料号：JTG8-3597
包装：
参考价格:￥3.254400
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220FP
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 800V TO-220-3
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